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拉特舍夫A.V.(Latyshev Alexander Vasilievich)

【所属类目】:院士风采      【添加时间】:2019-12-12 8:55:41      【关键字】:拉特舍夫A.V. 纳米 低纬 物理 院士      【点击】:551     




拉特舍夫A.V.(Латышев Александр Васильевич)

拉特舍夫·亚历山大·瓦西里耶维奇,1959年1月4日生于哈萨克斯坦北部布拉埃沃市。1981年毕业于新西伯利亚国立大学物理系,就职于苏联科学院半导体物理研究所。1998年始任俄罗斯科学院半导体物理研究所纳米诊断和纳米光刻实验室主任。2007年始任俄罗斯科学院半导体物理研究所科研副所长。2013年担任俄罗斯科学院半导体物理研究所所长。新西伯利亚国立大学客座教授。

2008年当选为俄罗斯科学院通讯院士。2016年当选为俄罗斯科学院纳米技术与信息技术学部院士。

拉特舍夫A.V.院士是俄罗斯纳米技术和低维系统结构诊断领域的著名专家,是创建低维半导体结构研究领域学术流派的奠基人。擅长领域:薄膜合成和纳米级半导体分子束结构,新一代半导体纳米技术,低维系统的结构诊断,纳米光子学等等。

拉特舍夫A.V.院士的主要科研成果:创建了超高真空电子显微镜系统,应用于分子束外延、固相反应以及气体与单晶硅表面相互作用过程;通过开展一系列硅表面结构重排实验研究,揭示了亚单层涂层物理形成过程;首次验证了硅原子迁移的作用,迁移可以导致硅原子台阶重新分布;首次揭示了表面相变对硅表面原子台阶聚类的影响;开发并改进分子束外延技术等等。

拉特舍夫A.V.院士的学术著作多与研究半导体系统表面和界面处的原子机理相关。他带领其科研团队利用高分辨率、扫描电子显微镜,为纳米技术领域的众多研究提供计量、诊断以及技术保障支持。研制了新一代半导体器件——纳米晶体管和单电子晶体管,基于量子效应的光电检测器以及电子元件。研发使用电子束和离子束聚焦技术进行纳米光刻。

拉特舍夫A.V.院士的基础性研究成果还包括:低维系统外延异质结构形成的原子机理,量子效应,电子干扰,单电子效应等纳米电子基础性研究。研发有效的高分辨率电子显微镜方法用于热成像设备的研制。研制新型微波电子产品,抗辐射电子元件,原子厚度涂层光电探测器等。

拉特舍夫A.V.院士积极开展国际科技合作,与韩国的Samsung、以色列的Mosaic Crystal和NanoGate、德国AGM以及德国、法国、日本、美国和保加利亚等国家的高校机构合作。

拉特舍夫A.V.院士先后发表246篇论文,其中含6部专著和9项专利。曾指导3名副博士论文通过答辩。《Surface Science and Nanotechnology》、《新西伯利亚国立大学学报-物理学》等期刊编委。

拉特舍夫A.V.院士是俄罗斯科学院西伯利亚分院主席团成员。俄罗斯科学院西伯利亚分院仪器设备委员会成员,纳米技术标准化技术委员会成员。俄罗斯联邦自然基金专家委员会委员。俄罗斯联邦教育科学部专家委员会成员。Rusnano Group公司专家委员会成员。新西伯利亚州政府社会发展部科学技术理事会理事。国际材料学和电子显微镜学科学理事会成员(柏林)。新西伯利亚大学和俄罗斯科学院半导体物理研究所学位答辩委员会委员。凝聚态物理与物理材料科学科学教育中心负责人。

拉特舍夫A.V.院士曾获得俄罗斯联邦政府奖,俄罗斯联邦总统奖,俄罗斯科学院和西伯利亚分院荣誉证书,俄罗斯联邦教育科学部荣誉证书,俄罗斯科技进步奖等表彰奖励。



责任编辑:吴庆峰
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