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稀有金属工业研究设计院

【所属类目】:中央区      【添加时间】:2017-10-10 8:30:10      【关键字】:Giredmet 稀有金属 设计      【点击】:288     

Giredmet

稀有金属工业研究设计院

АО «Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет»

一、基本情况

该机构隶属于俄罗斯国家原子能公司(Rosatom),主要致力于功能材料和纳米材料研究。基于稀有金属,合金研发用于国家战略行业所需的半导体材料、介质材料以及电子工业产品。基于现代资源节约型技术基础研发设计应用于化工、冶金行业的高新技术,开发国民经济领域多用途新产品。受理稀有金属材料、贵金属材料和半导体材料的质量控制和质量认证。该机构可承担完成科学研究,企划设计,生产线预调试,现场施工和监督管理等全产业链工作。

该机构积极参与制定俄罗斯联邦政府科技发展的重点创新项目,参与研发新材料和新技术。该机构开发的产品已广泛应用于国内电子,核电,仪器仪表,航空,火箭与空间技术,现代通信系统,导航,微波,红外线,超导等行业企业。

二、科研实力

该机构的基础研究与应用研究有机结合,研究方向前景广阔,设计方案新颖实用。在纳米材料研发领域创新发展效果显著,开发新一代的结构和功能纳米材料于加强俄罗斯的战略安全极具意义,有助于提高俄罗斯产品在国际高科技市场上的竞争力。在研发有关稀有金属,稀土金属,贵金属及其化合物等附加值高的科技产品获得了较高的经济效益。通过矿物学技术方法确定稀有金属、有色金属、非金属原料矿石的主要成分和性质,设计开发富集和冶炼最佳技术方案。

该机构还开发出用于制造各种光学器件的银和铊的卤化单晶体。研发无机化合物的合成和纯化技术,以获得高纯物质。研制出一种作为基材的砷化镓单晶技术,用于制造离散仪器和集成电路。该机构基于稀土金属化合物开发出的多用途荧光材料,广泛应用于医学,农业,法医学科研领域。

目前,该机构结合湿法冶金技术,正在研发高效处理垃圾废物的新技术。先后获得俄罗斯专利80项,执行国家级项目8项。

三、产品与服务

多晶硅制取技术

砷化镓单晶体(GaAs)

砷化铟单晶体(InAs)

锑化镓单晶体(GaSb)

锑化铟单晶体(InSb)

铊和银卤化物

镉锌碲晶体(CdZnTe

CdZnTe基板

CdHgTe外延层

InGaAsSb / GaSb的外延层

GaN外延层

高纯度化合物

高纯度铌

高纯度铟

高纯度镓

钛焊料

磁控溅射靶

水活化化学电源

稀有金属纳米粉体

矿料富集技术

四、项目推介

有色金属、稀有金属、贵金属、高纯度物质及其化合物化学诊断方法

气相还原法制取高纯度微晶体及纳米晶体钼粉技术

用于生产压电陶瓷改性的粉末材料制取技术

铝、镍、钛、钪等合金生产技术

超导用金属元件生产技术

高温超导线涂层技术

阴极复合材料生产技术

四氯化铪合成技术

热电纳米晶体材料

磁控溅射法制取高纯度金属工艺

用于高性能电子产品的铌、钽、钴粉末材料制取技术

荧光粉合成技术

碳化硅高温涂层工艺

斜锆石加工技术

高纯度无机酸生产工艺

镓基合金制备技术

磁致伸缩合金技术

单晶硅缺陷形成过程研究

铁钛生产新技术

钛铁矿制取钛渣和生铁技术

磷铌矿炼铌技术

硅晶片硬化方法

纳米级硅基化合物缺陷形成规律研究

纳米晶硅和氮化硅功能性材料合成技术

耐高温耐磨碳化硅涂层技术

氮化镓外延层缺陷结构形成机理研究

AlGaAsSb/InGaAsSb纳米结构技术研究

稀有金属、贵金属、纯物质和半导体等新型晶体材料监测分析

含贵金属催化剂化学成分的认证方法研究

高品质单晶半导体A3B5A2B6的制取工艺

高温超导线氧化物连续涂层技术

热或机械影响下单晶硅和硅晶片缺陷形成过程研究

高纯度难熔稀有金属结晶粉末的控制合成技术

五、联系方式

地址:119017,俄罗斯联邦莫斯科市多尔马切夫斯基路5

电话:(495953-87-91

传真:(495953-87-91

网址:www.giredmet.ru



责任编辑:吴庆峰
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